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SI1012CR-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 240mW (Ta)
Package / Case SC-75, SOT-416
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 240mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SC-75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 396 mOhm @ 600mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI1012CR-T1-GE3-ND SI1012CR-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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SI1012CR-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI1012CR-T1-GE3 prix de référence. SI1012CR-T1-GE3 paramètres, SI1012CR-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI1012CR-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI1012CR-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI1012CR-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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