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SI1016CX-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 220mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 396 mOhm @ 500mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI1016CX-T1-GE3-ND SI1016CX-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 20V 220mW Surface Mount SC-89-6
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SI1016CX-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI1016CX-T1-GE3 prix de référence. SI1016CX-T1-GE3 paramètres, SI1016CX-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI1016CX-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI1016CX-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI1016CX-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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