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SI1025X-T1-GE3
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SI1025X-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Detailed Description | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
Base Part Number | SI1025 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SC-89-6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI1025X-T1-GE3TR SI1025XT1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 33 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 25V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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