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SI1062X-T1-GE3
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SI1062X-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 20V SC-89
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 220mW (Ta) |
Package / Case | SC-89, SOT-490 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Detailed Description | N-Channel 20V 220mW (Ta) Surface Mount SC-89-3 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±8V |
Supplier Device Package | SC-89-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI1062X-T1-GE3TR SI1062XT1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 8V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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SI1060-A-GM | Silicon Labs | ICs émetteurs-récepteurs RF | |
SI1060-A-GMR | Energy Micro (Silicon Labs) | ICs émetteurs-récepteurs RF | 2783 |
SI1060-A-GMR | Silicon Labs | ICs émetteurs-récepteurs RF | |
SI1061-A-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | ICs émetteurs-récepteurs RF | 2728 |
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SI1061-A-GMR | Energy Micro (Silicon Labs) | ICs émetteurs-récepteurs RF | 2708 |
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