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SI2305CDS-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 4V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 8V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI2305CDS-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Tc)
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SI2305CDS-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI2305CDS-T1-GE3 prix de référence. SI2305CDS-T1-GE3 paramètres, SI2305CDS-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI2305CDS-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI2305CDS-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI2305CDS-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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