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SI3442BDV-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 860mW (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 3A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57 mOhm @ 4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
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