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SI4425DDY-T1-GE3
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SI4425DDY-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.7A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8 mOhm @ 13A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI4425DDY-T1-GE3-ND SI4425DDY-T1-GE3TR SI4425DDYT1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 32 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2610pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | P-Channel 30V 19.7A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO |
SI4425DDY-T1-GE3 Documents
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Feuilles de données
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SI4425DDY-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI4425DDY-T1-GE3 prix de référence. SI4425DDY-T1-GE3 paramètres, SI4425DDY-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI4425DDY-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI4425DDY-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI4425DDY-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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