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SI4465ADY-T1-GE3
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SI4465ADY-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 6.5W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Detailed Description | P-Channel 8V 3W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±8V |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 14A, 4.5V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | SI4465ADY-T1-GE3CT |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 33 Weeks |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
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