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SI4632DY-T1-E3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4632DY-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 21 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11175pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 25V 40A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package 8-SO
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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