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SI4923DY-T1-GE3
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SI4923DY-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.1W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Detailed Description | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6.2A 1.1W Surface Mount 8-SO |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8.3A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A |
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