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SI5475DDC-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 12V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI5475DDC-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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