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SI5855CDC-T1-E3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series LITTLE FOOT®
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 276pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 3.7A (Tc) 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI5855CDC-T1-E3-ND SI5855CDC-T1-E3TR SI5855CDCT1E3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Tc)
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