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SI7386DP-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 19A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI7386DP-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 12A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SI7386DP-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI7386DP-T1-GE3 prix de référence. SI7386DP-T1-GE3 paramètres, SI7386DP-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI7386DP-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI7386DP-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI7386DP-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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