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SI7601DN-T1-E3
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SI7601DN-T1-E3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±12V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1870pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Detailed Description | P-Channel 20V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
SI7601DN-T1-E3 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SI7601DN-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 474 |
SI7601DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 9345 |
SI7601DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2934 |
SI7606DN-T1-E3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 3030 |
SI7606DN-T1-GE3 | VB | Circuits intégrés spécialisés | 6000 |
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