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SI8409DB-T1-E1
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SI8409DB-T1-E1 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.47W (Ta) |
Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Detailed Description | P-Channel 30V 4.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±12V |
Supplier Device Package | 4-Microfoot |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 1A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SI8409DB-T1-E1TR SI8409DBT1E1 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 33 Weeks |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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SI8409DB-T1-E1 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI8409DB-T1-E1 prix de référence. SI8409DB-T1-E1 paramètres, SI8409DB-T1-E1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI8409DB-T1-E1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI8409DB-T1-E1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI8409DB-T1-E1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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