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SI8823EDB-T2-E1 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen III
Power Dissipation (Max) 900mW (Tc)
Package / Case 4-XFBGA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI8823EDB-T2-E1TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 46 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
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SI8823EDB-T2-E1 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI8823EDB-T2-E1 prix de référence. SI8823EDB-T2-E1 paramètres, SI8823EDB-T2-E1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI8823EDB-T2-E1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI8823EDB-T2-E1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI8823EDB-T2-E1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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