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SI8824EDB-T2-E1
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SI8824EDB-T2-E1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Package / Case | 4-XFBGA |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±5V |
Supplier Device Package | 4-Microfoot |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 1A, 4.5V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | SI8824EDB-T2-E1CT |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 46 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Detailed Description | N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SI8821EDB-T2-E1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2548 |
SI8821EDB-T2-E1 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2614 |
SI8821EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples | |
SI88220BC-IS | Energy Micro (Silicon Labs) | Isolateurs Numériques | 2672 |
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