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SI9410BDY-T1-GE3
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SI9410BDY-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 30V 6.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 8.1A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
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SI9410BDY-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SI9410BDY-T1-GE3 prix de référence. SI9410BDY-T1-GE3 paramètres, SI9410BDY-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI9410BDY-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI9410BDY-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI9410BDY-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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