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SIA778DJ-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 6.5W, 5W
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V, 20V 4.5A, 1.5A 6.5W, 5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Base Part Number SIA778
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIA778DJ-T1-GE3TR SIA778DJT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 27 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 6V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A, 1.5A
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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SIA778DJ-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SIA778DJ-T1-GE3 prix de référence. SIA778DJ-T1-GE3 paramètres, SIA778DJ-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIA778DJ-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIA778DJ-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIA778DJ-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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