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SIB417DK-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-75-6L
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 675pF @ 4V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±5V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6L Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIB417DK-T1-GE3TR SIB417DKT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.75nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
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