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SIF912EDZ-T1-E3 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.6W
Package / Case PowerPAK® 2x5
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® (2x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIF912EDZ-T1-E3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)
Base Part Number SIF912E
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
SIF912EDZ-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 34579
SIF912EDZ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays

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SIF912EDZ-T1-E3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SIF912EDZ-T1-E3 prix de référence. SIF912EDZ-T1-E3 paramètres, SIF912EDZ-T1-E3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIF912EDZ-T1-E3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIF912EDZ-T1-E3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIF912EDZ-T1-E3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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