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SIHD6N62E-GE3
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SIHD6N62E-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | SIHD6N62E-GE3CT SIHD6N62E-GE3CT-ND |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
FET Feature | - |
Detailed Description | N-Channel 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 578pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SIHD6N62E | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 2541 |
SIHD6N62E-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2516 |
SIHD6N62ET1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2752 |
SIHD6N65E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2888 |
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