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SIHFS9N60A-GE3
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SIHFS9N60A-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 18 Weeks |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
SIHFS9N60A-GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SiHFS11N50A | Vishay | Circuits intégrés spécialisés | 29296 |
SIHFS11N50A-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2799 |
SiHFS9N60A | Vishay | Circuits intégrés spécialisés | 22970 |
SiHFSL11N50A | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 32363 |
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