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SIHG73N60E-GE3
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SIHG73N60E-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 36A, 10V |
Packaging | Tube |
Other Names | SIHG73N60E-GE3CT SIHG73N60E-GE3CT-ND SIHG73N60EGE3 |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 362nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 73A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7700pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 73A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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SIHG70N60AEF-GE3 | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples | |
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SIHG70N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3020 |
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