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SIHH26N60E-T1-GE3
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SIHH26N60E-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 13A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | SIHH26N60E-T1-GE3CT |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
Power Dissipation (Max) | 202W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2815pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 25A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 |
SIHH26N60E-T1-GE3 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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SIHH26N60E-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SIHH26N60E-T1-GE3 prix de référence. SIHH26N60E-T1-GE3 paramètres, SIHH26N60E-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIHH26N60E-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIHH26N60E-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIHH26N60E-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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