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SIHJ8N60E-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SIHJ8N60E-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Power Dissipation (Max) 89W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 754pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIHJ8N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 2783

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SIHJ8N60E-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SIHJ8N60E-T1-GE3 prix de référence. SIHJ8N60E-T1-GE3 paramètres, SIHJ8N60E-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIHJ8N60E-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIHJ8N60E-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIHJ8N60E-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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