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SIR606DP-T1-GE3
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SIR606DP-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 37A POWERPAKSO
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 44.5W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 100V 37A (Tc) 44.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SIR606DP-T1-GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 6V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SIR606BDP-T1-RE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2691 |
SIR606DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2657 |
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