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SIRA12BDP-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CHAN 30V

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 38W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta), 60A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SIRA12BDP-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 42 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 27A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIRA12BDP-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SIRA12BDP-T1-GE3 prix de référence. SIRA12BDP-T1-GE3 paramètres, SIRA12BDP-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIRA12BDP-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIRA12BDP-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIRA12BDP-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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