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SISC06DN-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27.6A (Ta), 40A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SISC06DN-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2455pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 27.6A (Ta), 40A (Tc) 3.7W (Ta), 46.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SISC06DN-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SISC06DN-T1-GE3 prix de référence. SISC06DN-T1-GE3 paramètres, SISC06DN-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SISC06DN-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SISC06DN-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SISC06DN-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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