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SISS10DN-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3750pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.65 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SISS10DN-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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SISS10DN-T1-GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SISS10DN-T1-GE3 prix de référence. SISS10DN-T1-GE3 paramètres, SISS10DN-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SISS10DN-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SISS10DN-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SISS10DN-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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