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SQ2362ES-T1_GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 60V 4.3A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQ2362ES-T1-GE3 SQ2362ES-T1_GE3-ND SQ2362ES-T1_GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
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SQ2362ES-T1_GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SQ2362ES-T1_GE3 prix de référence. SQ2362ES-T1_GE3 paramètres, SQ2362ES-T1_GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SQ2362ES-T1_GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SQ2362ES-T1_GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SQ2362ES-T1_GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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