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SQD100N03-3M4_GE3
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SQD100N03-3M4_GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7349pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 30V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
SQD100N03-3M4_GE3 Documents
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Feuilles de données
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SQD100N03-3M2L | V | Circuits intégrés spécialisés | 10449 |
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SQD100N03-3M2L_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 30258 |
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