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SQD10N30-330H_GE3
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SQD10N30-330H_GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 14A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2190pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 300V 10A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
SQD10N30-330H_GE3 Documents
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Feuilles de données
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SQD10N30-330H_GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SQD10N30-330H_GE3 prix de référence. SQD10N30-330H_GE3 paramètres, SQD10N30-330H_GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SQD10N30-330H_GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SQD10N30-330H_GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SQD10N30-330H_GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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