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SQJ570EP-T1_GE3 Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 27W
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQJ570EP-T1_GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
SQJ570EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 2603
SQJ570EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays

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SQJ570EP-T1_GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SQJ570EP-T1_GE3 prix de référence. SQJ570EP-T1_GE3 paramètres, SQJ570EP-T1_GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SQJ570EP-T1_GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SQJ570EP-T1_GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SQJ570EP-T1_GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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