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SQJA06EP-T1_GE3
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SQJA06EP-T1_GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 57A POWERPAKSO-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 55W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 57A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | SQJA06EP-T1_GE3CT |
Mounting Type | Surface Mount |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 60V 57A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
SQJA06EP-T1_GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SQJA00EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 0 |
SQJA00EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2760 |
SQJA00EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples | |
SQJA02EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2684 |
SQJA02EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2619 |
SQJA02EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples | |
SQJA04EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2520 |
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