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SQM200N04-1M1L_GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 200A TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20655pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 200A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQM200N04-1M1L-GE3 SQM200N04-1M1L-GE3-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 413nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
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SQM200N04-1M1L_GE3 fabricants de marques: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip action, SQM200N04-1M1L_GE3 prix de référence. SQM200N04-1M1L_GE3 paramètres, SQM200N04-1M1L_GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SQM200N04-1M1L_GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SQM200N04-1M1L_GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SQM200N04-1M1L_GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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