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SUM50020E-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 120A TO263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11150pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SUM50020E-GE3-ND SUM50020E-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 128nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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