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BDX53C Spécifications techniques
TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 60W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 12mA, 3A |
Supplier Device Package | TO-220 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
BDX53C Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
BDX53A | ST | Circuits intégrés spécialisés | 69 |
BDX53A-S | Bourns, Inc. | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2729 |
BDX53A-S | Bourns Inc. | Transistors BJT simples | |
BDX53A/B/C | ST | Circuits intégrés spécialisés | 50379 |
BDX53ATU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2623 |
BDX53ATU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2712 |
BDX53ATU | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT simples | |
BDX53ATU | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
BDX53B | STMicroelectronics | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 70350 |
BDX53B | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 1377 |
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