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FCP650N80Z Spécifications techniques
MOSFET N-CH 800V 10A
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 800µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SuperFET® II |
Power Dissipation (Max) | 162W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-220 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 4A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1565pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FCP650N80Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2768 |
FCP650N80Z | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples |
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