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FDB86102LZ Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 8.3A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1275pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.3A (Ta), 30A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDB86102L | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 587 |
FDB86102LZ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 27078 |
FDB86102LZ | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FDB86102LZ MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 1376 |
FDB86135 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 22126 |
FDB86135 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 500 |
FDB86135 | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FDB86135 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 17277 |
FDB86360 | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 389 |
FDB86360-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 437 |
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