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FDG361N Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | SC-70-6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 600mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 153pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 420mW (Ta) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) |
FDG361N Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDG361N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 9666 |
FDG361N | Rochester Electronics, LLC | FDG361N | |
FDG361N MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2613 |
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