FGA50T65SHD Spécifications techniques

IGBT 650V 100A 319W TO-3PN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 50A, 6 Ohm, 15V
Switching Energy 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 34.6ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 87nC
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 22.4ns/73.6ns
Supplier Device Package TO-3PN
Power - Max 319W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
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