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FJN3306RTA
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FJN3306RTA Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
FJN3306RTA Documents
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Feuilles de données
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FJN3301RTA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 0 |
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FJN3301RTA | ON Semiconductor | Transistors BJT simples | |
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