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FQA6N90_F109
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FQA6N90_F109 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-3PN |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 3A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1880pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 198W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Tc) |
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