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FQB13N10TM Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 6.4A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.8A (Tc) |
FQB13N10TM Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQB13N06 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 6838 |
FQB13N06L | F | Circuits intégrés spécialisés | 15397 |
FQB13N06LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2707 |
FQB13N06LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2549 |
FQB13N06TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2746 |
FQB13N06TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2775 |
FQB13N10 | VB | Circuits intégrés spécialisés | 34226 |
FQB13N10L | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 10235 |
FQB13N10L MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 5507 |
FQB13N10LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2657 |
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