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FQB19N20TM Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 9.7A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.4A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQB19N10 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 2500 |
FQB19N10 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 6346 |
FQB19N10L | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 32363 |
FQB19N10LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
FQB19N10LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
FQB19N10TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 38163 |
FQB19N10TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 38163 |
FQB19N10TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 6000 |
FQB19N20 | F | Circuits intégrés spécialisés | 28755 |
FQB19N20C | F | Circuits intégrés spécialisés | 10459 |
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