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FQB22P10TM Spécifications techniques
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 125W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 11A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
FQB22P10TM Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQB22P10 | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 18895 |
FQB22P10 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 25328 |
FQB22P10TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 42508 |
FQB22P10TM | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FQB22P10TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 526 |
FQB22P10TM-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2555 |
FQB22P10TM_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 18933 |
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