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FQB4N20TM Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 45W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
FQB4N20TM Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQB4N20 | VB | Circuits intégrés spécialisés | 32978 |
FQB4N20L | VB | Circuits intégrés spécialisés | 37363 |
FQB4N20LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
FQB4N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
FQB4N20TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
FQB4N25TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
FQB4N25TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
FQB4N2OTM | VB | Circuits intégrés spécialisés | 34226 |
FQB4N50 | VB | Circuits intégrés spécialisés | 34104 |
FQB4N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
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