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FQB55N06TM Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 27.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1690pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 133W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
FQB55N06TM Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQB55N06TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 60725 |
FQB55N06TM MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 5351 |
FQB55N10 | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 19264 |
FQB55N10TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 42164 |
FQB55N10TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 42164 |
FQB55N10TM | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FQB55N10TM IC | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 421 |
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