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FQD19N10TF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | D-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 7.8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.6A (Tc) |
FQD19N10TF Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQD19N10 | F | Circuits intégrés spécialisés | 964 |
FQD19N10L | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 287 |
FQD19N10L FQD19N10 | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 2675 |
FQD19N10L IC | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 1866 |
FQD19N10L MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2830 |
FQD19N10LTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3090 |
FQD19N10LTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1201 |
FQD19N10LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 18693 |
FQD19N10LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 18693 |
FQD19N10LTM | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples |
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